Transistor FET | electronica-asin

Transistores FET ó efecto de campo.

Transistor FET o de efecto de campo (Field effect transistor), El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial. Tienen tres terminales, denominadas Puerta (gate), Drenador (drain) y Fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal N y canal P.

El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los FET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada.

FET: (Field effect transistor), esta variante del transistor se basa en el campo eléctrico para poder controlar la conductividad de una juntura semiconductora N-P o P-N a través de una entrada llamada Gate. La juntura controlada se denomina Source- Drain equivalente a Emisor - Colector, en un transistor comun.

Símbolo electrónico de los transistores FET:

Polarización FET

El modo normal de polarización de un FET de canal N requiere que la tensión entre puerta y fuente sea negativa (VGS<o) mientras que la tensión entre Drenador y Fuente tiene que ser positiva (VDS>0)

Comprobación:

1º Se mide en la escala de diodos para comprobar que no hay cortocircuito entre los terminales D y S. Si tiene Damper (no todos lo tienen), dará un valor alrededor de 500 Ω. Si no lo tiene, debe indicar infinito, lo mismo que al invertir las puntas.

2º Luego sin retirar las puntas COM (negra), colocamos la punta "Roja" en el terminal (G) del transistor en prueba. Esto con el fin de "cargar" la puerta o terminal (G).

3º Volvemos a colocar la punta roja en el terminal (D) encontraremos el transistor activo al menos por unos segundos y marcará el polimetro un valor de resistencia bajo.

Finalmente cortocircuitamos los terminales G - S, el FET volverá a su estado de reposo, es decir al tomar la medida entre D y S indicará infinito o nuevamente el Damper si lo tiene.

Está pagina está en construcción, disculpe las molestias.-

Componentes

Electrónicos

Transistores FET ó efecto de campo.